N-kanaaltransistor GT30J322, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P( GCE ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. CE-diode: ja. Collectorstroom: 30A. Functie: Huidige resonantie-omvormerschakeling. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 100A. Kanaaltype: N. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Spec info: bipolaire transistor met geïsoleerde poort (IGBT). Td(aan): 30 ns. Td(uit): 400 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.1V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 17:39