N-kanaaltransistor G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

N-kanaaltransistor G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.94€
5-24
1.64€
25-49
1.44€
50-99
1.31€
100+
1.11€
Hoeveelheid in voorraad: 67

N-kanaaltransistor G60N04K, 60A, 1uA, 5.3m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.3m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1800pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Functie: stroomschakeling, DC/DC-converters. G-S-bescherming: nee. ID s (min): n/a. Id(imp): 200A. Kanaaltype: N. Kosten): 280pF. Markering op de kast: G60N04K. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.5 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.1V. Origineel product van fabrikant: Goford Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43

G60N04K
31 parameters
ID (T=25°C)
60A
Idss (max)
1uA
Aan-weerstand Rds Aan
5.3m Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1800pF
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
2500
Functie
stroomschakeling, DC/DC-converters
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
200A
Kanaaltype
N
Kosten)
280pF
Markering op de kast
G60N04K
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
65W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6.5 ns
Td(uit)
30 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
29 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.5V
Vgs(th) min.
1.1V
Origineel product van fabrikant
Goford Semiconductor