N-kanaaltransistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

N-kanaaltransistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.66€
5-9
5.24€
10-24
4.90€
25-49
4.62€
50+
4.19€
Hoeveelheid in voorraad: 4

N-kanaaltransistor FS7KM-18A, 7A, 1mA, 1.54 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 900V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1380pF. Functie: HIGH-SPEED SW.. G-S-bescherming: ja. ID s (min): 10uA. Id(imp): 21A. Kanaaltype: N. Kosten): 140pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 30 v. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 180 ns. Technologie: Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Mitsubishi Electric Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 07/11/2025, 22:43

Technische documentatie (PDF)
FS7KM-18A
27 parameters
ID (T=25°C)
7A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
1.54 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FN
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1380pF
Functie
HIGH-SPEED SW.
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
10uA
Id(imp)
21A
Kanaaltype
N
Kosten)
140pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
30 v
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
180 ns
Technologie
Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Mitsubishi Electric Semiconductor