N-kanaaltransistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

N-kanaaltransistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.30€
5-9
2.05€
10-24
1.81€
25-49
1.68€
50+
1.43€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 66

N-kanaaltransistor FS10KM-12, 5A, 10A, 1mA, 0.72 Ohms, TO-220FP, TO-220FN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.72 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1500pF. Functie: Hoge snelheidsschakelen. G-S-bescherming: ja. ID s (min): na. Id(imp): 30A. Kanaaltype: N. Kosten): 170pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 25 ns. Td(uit): 130 ns. Technologie: Power MOSFET. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Mitsubishi Electric Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:26

Technische documentatie (PDF)
FS10KM-12
27 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
5A
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
0.72 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220FN
Spanning Vds(max)
600V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1500pF
Functie
Hoge snelheidsschakelen
G-S-bescherming
ja
ID s (min)
na
Id(imp)
30A
Kanaaltype
N
Kosten)
170pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
130 ns
Technologie
Power MOSFET
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Mitsubishi Electric Semiconductor

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor FS10KM-12