N-kanaaltransistor FQP33N10, 23A, 33A, 10uA, 0.04 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 23A. ID (T=25°C): 33A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.04 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1150pF. Functie: Snel schakelen, Low Gate Charge. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 132A. Kanaaltype: N. Kosten): 320pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 127W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 80 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 13:40