N-kanaaltransistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

N-kanaaltransistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.43€
5-14
6.04€
15-29
5.68€
30-59
5.34€
60+
4.72€
Hoeveelheid in voorraad: 12

N-kanaaltransistor FQP13N50C, 8A, 13A, 10uA, 0.39 Ohms, TO-220, TO-220AB, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.39 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1580pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 52A. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 195W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Spec info: Lage poortlading (typisch 43nC). Td(aan): 25 ns. Td(uit): 130 ns. Technologie: N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET). Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 13:40

Technische documentatie (PDF)
FQP13N50C
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
13A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.39 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220AB
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1580pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
52A
Kanaaltype
N
Kosten)
180pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
195W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Spec info
Lage poortlading (typisch 43nC)
Td(aan)
25 ns
Td(uit)
130 ns
Technologie
N-kanaal MOSFET-transistor (DMOS, QFET)
Trr-diode (min.)
410 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Fairchild