N-kanaaltransistor FQD7N10L, 3.67A, 23.2A, 10uA, 0.258 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 3.67A. ID (T=25°C): 23.2A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.258 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 220pF. Functie: Lage poortlading. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 5.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 55pF. Markering op de kast: FQD7N10L. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 9 ns. Td(uit): 17 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 70 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 13:40