N-kanaaltransistor FQD19N10L, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V

N-kanaaltransistor FQD19N10L, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.63€
5-24
1.40€
25-49
1.24€
50-99
1.13€
100+
0.97€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 85

N-kanaaltransistor FQD19N10L, 9.8A, 15.6A, 10uA, 0.074 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 9.8A. ID (T=25°C): 15.6A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.074 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 670pF. Equivalenten: FQD19N10LTM. Functie: logisch niveau-gated MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 62.4A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 14 ns. Td(uit): 20 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 80 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 13:40

Technische documentatie (PDF)
FQD19N10L
31 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
9.8A
ID (T=25°C)
15.6A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.074 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
100V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
670pF
Equivalenten
FQD19N10LTM
Functie
logisch niveau-gated MOSFET-transistor
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
62.4A
Kanaaltype
N
Kosten)
160pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
50W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
14 ns
Td(uit)
20 ns
Technologie
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
80 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Fairchild

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor FQD19N10L