N-kanaaltransistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

N-kanaaltransistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
6.84€
5-9
6.22€
10-24
5.75€
25+
5.29€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

N-kanaaltransistor FQA19N60, 11.7A, 18.5A, 100uA, 0.3 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 11.7A. ID (T=25°C): 18.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 2800pF. Functie: Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC). G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 74A. Kanaaltype: N. Kosten): 350pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 65 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: DMOS, QFET. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/01/2026, 13:40

Technische documentatie (PDF)
FQA19N60
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
11.7A
ID (T=25°C)
18.5A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.3 Ohms
Behuizing
TO-3PN ( 2-16C1B )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PN
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
2800pF
Functie
Snel schakelen, lage poortlading (typisch 44nC)
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10uA
Id(imp)
74A
Kanaaltype
N
Kosten)
350pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
300W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
65 ns
Td(uit)
150 ns
Technologie
DMOS, QFET
Trr-diode (min.)
420 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Fairchild