N-kanaaltransistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V

Hoeveelheid

Eenheidsprijs

1-4

7.12€

5-14

6.14€

15-29

5.57€

30-59

5.16€

60+

4.60€

Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 29

N-kanaaltransistor FGB20N60SF, 20A, D2PAK ( TO-263 ), D2-PAK, 600V. Ic(T=100°C): 20A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2-PAK. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 2. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 940pF. CE-diode: nee. Collectorstroom: 40A. Functie: omvormer voor zonne-energie, UPS, lasapparaat, PFC. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 60A. Kanaaltype: N. Kosten): 110pF. Let op: N-kanaal MOS IGBT-transistor. Markering op de kast: FGB20N60SF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 90 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.4V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 23:00

FGB20N60SF

26 parameters

Ic(T=100°C)

20A

Behuizing

D2PAK ( TO-263 )

Behuizing (volgens datablad)

D2-PAK

Collector-emitterspanning Vceo

600V

Aantal aansluitingen

Bedrijfstemperatuur

-55...+150°C

C(inch)

940pF

CE-diode

nee

Collectorstroom

40A

Functie

omvormer voor zonne-energie, UPS, lasapparaat, PFC

Germaniumdiode

nee

Ic(puls)

60A

Kanaaltype

Kosten)

110pF

Let op

N-kanaal MOS IGBT-transistor

Markering op de kast

FGB20N60SF

Montage/installatie

opbouwcomponent (SMD)

Pd (vermogensdissipatie, max.)

208W

Poort-/emitterspanning VGE(th) min.

4 v

Poort-/emitterspanning VGE(th)max.

6.5V

Poort-/emitterspanning VGE

20V

RoHS

Td(aan)

12 ns

Td(uit)

90 ns

Verzadigingsspanning VCE(sat)

2.4V

Origineel product van fabrikant

Fairchild