N-kanaaltransistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

N-kanaaltransistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.32€
5-24
2.96€
25-49
2.74€
50-99
2.59€
100+
2.35€
Hoeveelheid in voorraad: 58

N-kanaaltransistor FDB8447L, 50A, 1uA, 0.0087 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), TO-263AB, 40V. Binnendiameter (T=100°C): -. ID (T=25°C): 50A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0087 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263AB. Spanning Vds(max): 40V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1970pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): -. Id(imp): 100A. Kanaaltype: N. Kosten): 250pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 11 ns. Td(uit): 28 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Trr-diode (min.): 28 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 01:47

Technische documentatie (PDF)
FDB8447L
28 parameters
ID (T=25°C)
50A
Idss (max)
1uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0087 Ohms
Behuizing
D2PAK ( TO-263 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-263AB
Spanning Vds(max)
40V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1970pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
100A
Kanaaltype
N
Kosten)
250pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
60W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
11 ns
Td(uit)
28 ns
Technologie
PowerTrench MOSFET
Trr-diode (min.)
28 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor