N-kanaaltransistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

N-kanaaltransistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
5.52€
5-14
4.87€
15-29
4.40€
30-59
4.11€
60+
3.67€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 76

N-kanaaltransistor FDA59N25, 35A, 59A, 10uA, 0.041 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PN, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 35A. ID (T=25°C): 59A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.041 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 250V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 3090pF. Functie: PDP TV, AC/DC Converter. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 236A. Kanaaltype: N. Kosten): 630pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 392W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 70 ns. Td(uit): 90 ns. Technologie: UniFET MOSFET. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 3V. Origineel product van fabrikant: Fairchild. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 01:47

Technische documentatie (PDF)
FDA59N25
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
35A
ID (T=25°C)
59A
Idss (max)
10uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.041 Ohms
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PN
Spanning Vds(max)
250V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
3090pF
Functie
PDP TV, AC/DC Converter
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
236A
Kanaaltype
N
Kosten)
630pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
392W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
70 ns
Td(uit)
90 ns
Technologie
UniFET MOSFET
Trr-diode (min.)
190 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
3V
Origineel product van fabrikant
Fairchild

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor FDA59N25