N-kanaaltransistor DF600R12IP4D, 600A, ander, ander, 1200V

Hoeveelheid

Eenheidsprijs

1-1

453.49€

2-4

430.65€

5-7

416.95€

8-14

405.41€

15+

387.59€

Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 4

N-kanaaltransistor DF600R12IP4D, 600A, ander, ander, 1200V. Ic(T=100°C): 600A. Behuizing: ander. Behuizing (volgens datablad): ander. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Aantal aansluitingen: 10. Afmetingen: 172x89x37mm. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. C(inch): 37pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 600A. Functie: VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C). Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 1200A. Kanaaltype: N. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3350W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 5.8V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: ICRM--Tp=1mS 1200A. Td(aan): 0.21 ns. Td(uit): 0.7 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 07:27

Technische documentatie (PDF)

DF600R12IP4D

24 parameters

Ic(T=100°C)

600A

Behuizing

ander

Behuizing (volgens datablad)

ander

Collector-emitterspanning Vceo

1200V

Aantal aansluitingen

Afmetingen

172x89x37mm

Bedrijfstemperatuur

-40...+150°C

C(inch)

37pF

CE-diode

Collectorstroom

600A

Functie

VCE(sat) 1.7V (Ic=600A, VGE=15V, 25°C)

Germaniumdiode

nee

Ic(puls)

1200A

Kanaaltype

Montage/installatie

PCB-doorvoermontage

Pd (vermogensdissipatie, max.)

3350W

Poort-/emitterspanning VGE(th) min.

5.8V

Poort-/emitterspanning VGE

20V

RoHS

Spec info

ICRM--Tp=1mS 1200A

Td(aan)

0.21 ns

Td(uit)

0.7 ns

Verzadigingsspanning VCE(sat)

1.7V

Origineel product van fabrikant

Infineon Technologies