N-kanaaltransistor BUZ77B, 1.7A, 2.9A, 100uA, 3 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1.7A. ID (T=25°C): 2.9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 600V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. C(inch): 460pF. Functie: BSIPMOS® Power Transistor, Enhancement mode. ID s (min): 0.1uA. Id(imp): 11.5A. Kanaaltype: N. Kosten): 55pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 50 ns. Technologie: V-MOS. Trr-diode (min.): 350 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Origineel product van fabrikant: Siemens. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 08:57