N-kanaaltransistor BUZ102S, 37A, 52A, 52A, 0.018 Ohms, D2PAK ( TO-263 ), P-TO263-3-2, 55V. Binnendiameter (T=100°C): 37A. ID (T=25°C): 52A. Idss (max): 52A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.018 Ohms. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): P-TO263-3-2. Spanning Vds(max): 55V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. C(inch): 1220pF. Kanaaltype: N. Kosten): 410pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Td(aan): 12 ns. Td(uit): 30 ns. Technologie: SIPMOS, PowerMosfet. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 08:57