N-kanaaltransistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

N-kanaaltransistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.71€
5-24
1.49€
25-49
1.34€
50-99
1.23€
100+
1.05€
Hoeveelheid in voorraad: 31

N-kanaaltransistor BUK9575-55A, 14A, 20A, 500uA, 0.064 Ohms, TO-220, SOT-78 ( TO220AB ), 55V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.064 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): SOT-78 ( TO220AB ). Spanning Vds(max): 55V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 440pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Automobiel, stroomschakeling, 12V- en 24V-motor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.05uA. Id(imp): 81A. Kanaaltype: N. Kosten): 90pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Poort-/bronspanning Vgs: 10V. RoHS: ja. Spec info: IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed). Td(aan): 10 ns. Td(uit): 28 ns. Technologie: TrenchMOS logic level POWER MOSFET. Temperatuur: +175°C. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 12:31

Technische documentatie (PDF)
BUK9575-55A
33 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
500uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.064 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
SOT-78 ( TO220AB )
Spanning Vds(max)
55V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
440pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
Automobiel, stroomschakeling, 12V- en 24V-motor
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.05uA
Id(imp)
81A
Kanaaltype
N
Kosten)
90pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
62W
Poort-/bronspanning Vgs
10V
RoHS
ja
Spec info
IDM--81A (Tmb 25°C; pulsed)
Td(aan)
10 ns
Td(uit)
28 ns
Technologie
TrenchMOS logic level POWER MOSFET
Temperatuur
+175°C
Trr-diode (min.)
33 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors