N-kanaaltransistor BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V

N-kanaaltransistor BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
8.55€
5-9
8.14€
10-24
7.77€
25-49
7.40€
50+
6.59€
+865 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 32

N-kanaaltransistor BTS436L2GATMA1, 38m Ohms, D²-PAK/5, PG-TO263-5-2, TO-263, 41V. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. Behuizing: D²-PAK/5. Behuizing (volgens datablad): PG-TO263-5-2. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Afvoerbronspanning Uds [V]: 41V. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.072 Ohm @ 2A. Ciss-poortcapaciteit [pF]: -. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C: 9.8A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200us. Markering van de fabrikant: -. Maximale dissipatie Ptot [W]: 75W. Maximale temperatuur: +150°C.. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -. RoHS: ja. Spec info: N-MOS 43V 9.8A. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250us. Origineel product van fabrikant: Infineon Technologies. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 16:14

Technische documentatie (PDF)
BTS436L2GATMA1
18 parameters
Aan-weerstand Rds Aan
38m Ohms
Behuizing
D²-PAK/5
Behuizing (volgens datablad)
PG-TO263-5-2
Behuizing (JEDEC-standaard)
TO-263
Afvoerbronspanning Uds [V]
41V
Aantal aansluitingen
3
Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.072 Ohm @ 2A
Componentfamilie
MOSFET, N-MOS
Configuratie
opbouwcomponent (SMD)
Drain stroom -ID (a) @ 25 ° C
9.8A
Inschakeltijd ton [nsec.]
200us
Maximale dissipatie Ptot [W]
75W
Maximale temperatuur
+150°C.
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
RoHS
ja
Spec info
N-MOS 43V 9.8A
Uitschakelvertraging tf[nsec.]
250us
Origineel product van fabrikant
Infineon Technologies