N-kanaaltransistor BST82, 0.12A, 0.19A, 10uA, 5 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 100V. Binnendiameter (T=100°C): 0.12A. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 100V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 25pF. Functie: Zeer snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 8.5pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Spec info: Compatibel met logisch niveau. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: verbeteringsmodus veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31