N-kanaaltransistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

N-kanaaltransistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.65€
5-49
1.50€
50-99
1.40€
100+
1.31€
Hoeveelheid in voorraad: 14

N-kanaaltransistor BST72A, 0.19A, 1uA, 5 Ohms, TO-92, SOT54, 100V. ID (T=25°C): 0.19A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SOT54. Spanning Vds(max): 100V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 25pF. Functie: Very fast switching, Logic level compatible. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.01uA. Id(imp): 0.8A. Kanaaltype: N. Kosten): 8.5pF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Td(aan): 3 ns. Td(uit): 12 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Philips Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BST72A
25 parameters
ID (T=25°C)
0.19A
Idss (max)
1uA
Aan-weerstand Rds Aan
5 Ohms
Behuizing
TO-92
Behuizing (volgens datablad)
SOT54
Spanning Vds(max)
100V
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
25pF
Functie
Very fast switching, Logic level compatible
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.01uA
Id(imp)
0.8A
Kanaaltype
N
Kosten)
8.5pF
Pd (vermogensdissipatie, max.)
0.83W
Td(aan)
3 ns
Td(uit)
12 ns
Technologie
Enhancement mode, TrenchMOS™ technology.
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
30 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Philips Semiconductors