N-kanaaltransistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

N-kanaaltransistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.84€
5-49
0.67€
50-99
0.59€
100+
0.52€
Hoeveelheid in voorraad: 167

N-kanaaltransistor BSP100, 4.4A, 6A, 100nA, 0.8 Ohms, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 4.4A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 250pF. Functie: Snel schakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10nA. Id(imp): 24A. Kanaaltype: N. Kosten): 88pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 8.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6 ns. Td(uit): 21 ns. Technologie: Enhancement mode, TrenchMOS transistor. Trr-diode (min.): 69 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.8V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Nxp Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/11/2025, 13:31

Technische documentatie (PDF)
BSP100
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
4.4A
ID (T=25°C)
6A
Idss (max)
100nA
Aan-weerstand Rds Aan
0.8 Ohms
Behuizing
SOT-223 ( TO-226 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-223
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
250pF
Functie
Snel schakelen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10nA
Id(imp)
24A
Kanaaltype
N
Kosten)
88pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
8.3W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6 ns
Td(uit)
21 ns
Technologie
Enhancement mode, TrenchMOS transistor
Trr-diode (min.)
69 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2.8V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Nxp Semiconductors