N-kanaaltransistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

N-kanaaltransistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
12.88€
5-14
12.04€
15-29
11.35€
30-59
10.82€
60+
9.81€
Hoeveelheid in voorraad: 13

N-kanaaltransistor APT15GP60BDQ1G, 27A, TO-247, TO-247, 600V. Ic(T=100°C): 27A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. C(inch): 1685pF. CE-diode: ja. Collectorstroom: 56A. Functie: Hoogfrequente schakelende voedingen. Germaniumdiode: nee. Ic(puls): 65A. Kanaaltype: N. Kosten): 210pF. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.7V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 8 ns. Td(uit): 29 ns. Technologie: POWER MOS 7® IGBT. Trr-diode (min.): 55ms. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Origineel product van fabrikant: Advanced Power. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:56

Technische documentatie (PDF)
APT15GP60BDQ1G
27 parameters
Ic(T=100°C)
27A
Behuizing
TO-247
Behuizing (volgens datablad)
TO-247
Collector-emitterspanning Vceo
600V
Aantal aansluitingen
3
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
C(inch)
1685pF
CE-diode
ja
Collectorstroom
56A
Functie
Hoogfrequente schakelende voedingen
Germaniumdiode
nee
Ic(puls)
65A
Kanaaltype
N
Kosten)
210pF
Maximale verzadigingsspanning VCE(sat)
2.7V
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
250W
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
3V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
6V
Poort-/emitterspanning VGE
20V
RoHS
ja
Td(aan)
8 ns
Td(uit)
29 ns
Technologie
POWER MOS 7® IGBT
Trr-diode (min.)
55ms
Verzadigingsspanning VCE(sat)
2.2V
Origineel product van fabrikant
Advanced Power