N-kanaaltransistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

N-kanaaltransistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.33€
5-49
2.95€
50-94
2.49€
95+
2.25€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 1

N-kanaaltransistor AP9971GI, 14A, 23A, 25uA, 0.036 Ohms, TO-220, TO-220CFM, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 25uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220CFM. Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1700pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: NO. ID s (min): 10uA. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 31.3W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 9 ns. Td(uit): 26 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Advanced Power. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
AP9971GI
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
14A
ID (T=25°C)
23A
Idss (max)
25uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.036 Ohms
Behuizing
TO-220
Behuizing (volgens datablad)
TO-220CFM
Spanning Vds(max)
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1700pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
G-S-bescherming
NO
ID s (min)
10uA
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
160pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
31.3W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
9 ns
Td(uit)
26 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
37 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Advanced Power