N-kanaaltransistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

N-kanaaltransistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.19€
5-24
1.02€
25-49
0.90€
50-99
0.81€
100+
0.69€
Hoeveelheid in voorraad: 74

N-kanaaltransistor AP9971GH, 16A, 25A, 250uA, 0.036 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 16A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.036 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1700pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Functie: Snel schakelen, omvormers, voedingen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 1uA. Id(imp): 90A. Kanaaltype: N. Kosten): 160pF. Markering op de kast: 9971GH. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 39W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 9 ns. Td(uit): 26 ns. Technologie: ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET. Trr-diode (min.): 37 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Origineel product van fabrikant: Advanced Power. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
AP9971GH
33 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
16A
ID (T=25°C)
25A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.036 Ohms
Behuizing
D-PAK ( TO-252 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 )
Spanning Vds(max)
60V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1700pF
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
3000
Functie
Snel schakelen, omvormers, voedingen
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
1uA
Id(imp)
90A
Kanaaltype
N
Kosten)
160pF
Markering op de kast
9971GH
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
39W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
9 ns
Td(uit)
26 ns
Technologie
ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
Trr-diode (min.)
37 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
3V
Vgs(th) min.
1V
Origineel product van fabrikant
Advanced Power