N-kanaaltransistor AP4800CGM, 8.4A, 10.4A, 10uA, 10.4A, 0.014 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 8.4A. ID (T=25°C): 10.4A. Idss: 10uA. Idss (max): 10.4A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 450pF. Functie: snel schakelen, DC/DC-converter. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 40A. Kanaaltype: N. Kosten): 120pF. Markering op de kast: 4800C G M. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. RoHS: ja. Td(aan): 7 ns. Td(uit): 17 ns. Technologie: Enhancement-modus Power-MOSFET. Trr-diode (min.): 20 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Advanced Power. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25