N-kanaaltransistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

N-kanaaltransistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.28€
5-49
1.06€
50-99
0.89€
100+
0.79€
Hoeveelheid in voorraad: 48

N-kanaaltransistor AO4716, 9.6A, 12A, 20mA, 0.0058 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 20mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0058 Ohms. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 8:1. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. C(inch): 2154pF. Functie: t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 0.1mA. Id(imp): 180A. Kanaaltype: N. Kosten): 474pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.1W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 6.8 ns. Td(uit): 25.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET). Trr-diode (min.): 12 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1.3V. Origineel product van fabrikant: Alpha & Omega Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
AO4716
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
9.6A
ID (T=25°C)
12A
Idss (max)
20mA
Aan-weerstand Rds Aan
0.0058 Ohms
Behuizing
SO
Behuizing (volgens datablad)
SO-8
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
8:1
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
Zenerdiode
C(inch)
2154pF
Functie
t=10sec, Idsm--16.5A/25°C, Idsm--13A/70°C
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
0.1mA
Id(imp)
180A
Kanaaltype
N
Kosten)
474pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
3.1W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
6.8 ns
Td(uit)
25.2 ns
Technologie
Verbeteringsmodus veldeffect (SRFET)
Trr-diode (min.)
12 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
2V
Vgs(th) min.
1.3V
Origineel product van fabrikant
Alpha & Omega Semiconductors