N-kanaaltransistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

N-kanaaltransistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
3.11€
5-49
2.80€
50-99
2.47€
100+
2.26€
Hoeveelheid in voorraad: 58

N-kanaaltransistor AO3407A, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, 0.052 Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 520pF. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. G-S-bescherming: nee. Id(imp): 25A. Kanaaltype: N. Kosten): 100pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 7.5 ns. Td(uit): 19 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Alpha & Omega Semiconductors. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:52

AO3407A
27 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
4.1A
Idss
1uA
Idss (max)
4.1A
Aan-weerstand Rds Aan
0.052 Ohms
Behuizing
SOT-23 ( TO-236 )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-23 ( TO236 )
Spanning Vds(max)
30 v
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
520pF
Functie
Schakel- of PWM-toepassingen
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
25A
Kanaaltype
N
Kosten)
100pF
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.4W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
7.5 ns
Td(uit)
19 ns
Technologie
Verbeteringsmodus veldeffecttransistor
Trr-diode (min.)
11 ns
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Alpha & Omega Semiconductors