N-kanaaltransistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v
Hoeveelheid
		Eenheidsprijs
	  1-4
		  1.27€
		5-24
		  1.08€
		25-49
		  0.95€
		50-99
		  0.86€
		100+
		  0.74€
		| Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd. Laatste items beschikbaar | |
| Hoeveelheid in voorraad: 10 | 
N-kanaaltransistor 3LN01SS, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): SSFP. Spanning Vds(max): 30 v. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 7pF. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 0.6A. Kanaaltype: N. Kosten): 5.9pF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.3V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.4V. Td(aan): 19 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:52
3LN01SS
		23 parameters
	  ID (T=25°C)
		  0.15A
		Idss (max)
		  10uA
		Aan-weerstand Rds Aan
		  3.7 Ohms
		Behuizing
		  SMD
		Behuizing (volgens datablad)
		  SSFP
		Spanning Vds(max)
		  30 v
		Aantal per doos
		  1
		Bescherming afvoerbron
		  ja
		C(inch)
		  7pF
		Functie
		  Ultrahigh-Speed Switching
		G-S-bescherming
		  ja
		Id(imp)
		  0.6A
		Kanaaltype
		  N
		Kosten)
		  5.9pF
		Montage/installatie
		  opbouwcomponent (SMD)
		Pd (vermogensdissipatie, max.)
		  0.15W
		Poort/bronspanning (uit) max.
		  1.3V
		Poort/bronspanning (uit) min.
		  0.4V
		Td(aan)
		  19 ns
		Td(uit)
		  150 ns
		Technologie
		  silicium MOSFET-transistor
		Type transistor
		  MOSFET
		Origineel product van fabrikant
		  Sanyo