N-kanaaltransistor 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanaaltransistor 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-3
7.12€
4-7
6.71€
8-14
6.39€
15-29
6.09€
30+
5.52€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 10

N-kanaaltransistor 2SK3667, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: ja. Id(imp): 30A. Kanaaltype: N. Markering op de kast: K3667. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 50 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:25

Technische documentatie (PDF)
2SK3667
28 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
7.5A
ID (T=25°C)
7.5A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.75 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
30A
Kanaaltype
N
Markering op de kast
K3667
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
50 ns
Td(uit)
150 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Trr-diode (min.)
1200 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK3667