N-kanaaltransistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

N-kanaaltransistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.62€
5-9
2.26€
10-24
2.03€
25-49
1.88€
50+
1.67€
Hoeveelheid in voorraad: 40

N-kanaaltransistor 2SK3569, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67, 2-10U1B. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 1500pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: ja. Gewicht: 1.7g. Id(imp): 40A. Kanaaltype: N. Kosten): 180pF. Markering op de kast: K3569. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 50 ns. Td(uit): 180 ns. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOSVI). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK3569
32 parameters
ID (T=25°C)
10A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.54 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
SC-67, 2-10U1B
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
1500pF
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
50
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
ja
Gewicht
1.7g
Id(imp)
40A
Kanaaltype
N
Kosten)
180pF
Markering op de kast
K3569
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
45W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
50 ns
Td(uit)
180 ns
Technologie
Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOSVI)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
1300 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba