N-kanaaltransistor 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

N-kanaaltransistor 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.00€
5-24
1.50€
25-49
1.31€
50+
1.22€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 89

N-kanaaltransistor 2SK3567, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (max): 3.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: ja. Id(imp): 14A. Kanaaltype: N. Markering op de kast: K3567. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK3567
23 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
3.5A
ID (T=25°C)
3.5A
Idss
100mA
Idss (max)
3.5A
Aan-weerstand Rds Aan
1.7 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
600V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
14A
Kanaaltype
N
Markering op de kast
K3567
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
35W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK3567