N-kanaaltransistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

N-kanaaltransistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.17€
5-24
1.88€
25-49
1.69€
50-99
1.56€
100+
1.39€
Hoeveelheid in voorraad: 45

N-kanaaltransistor 2SK3566, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 470pF. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: ja. Id(imp): 7.5A. Kanaaltype: N. Kosten): 50pF. Markering op de kast: K3566. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 60 ns. Td(uit): 100 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 720 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK3566
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2.5A
ID (T=25°C)
2.5A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
5.6 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
470pF
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
7.5A
Kanaaltype
N
Kosten)
50pF
Markering op de kast
K3566
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
60 ns
Td(uit)
100 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSIV)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
720 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba