N-kanaaltransistor 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

N-kanaaltransistor 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.61€
5-24
2.27€
25-49
2.05€
50+
1.85€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 35

N-kanaaltransistor 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1050pF. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). G-S-bescherming: ja. Id(imp): 32A. Kanaaltype: N. Kosten): 110pF. Markering op de kast: K3561. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 26 ns. Td(uit): 38 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK3561
30 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
8A
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.75 Ohms
Behuizing
TO-220FP
Behuizing (volgens datablad)
TO-220F
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1050pF
Functie
Schakelende voedingen (SMPS)
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
32A
Kanaaltype
N
Kosten)
110pF
Markering op de kast
K3561
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
40W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
26 ns
Td(uit)
38 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
1200 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Origineel product van fabrikant
Toshiba

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK3561