N-kanaaltransistor 2SK2647, 4A, 4A, 200uA, 3.19 Ohms, TO-220, TO-220F15, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.19 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 450pF. Functie: Hoge snelheidsschakelen. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 16A. Kanaaltype: N. Kosten): 75pF. Markering op de kast: K2647. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 20 ns. Td(uit): 50 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 450 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V. Origineel product van fabrikant: Fuji Electric. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31