N-kanaaltransistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

N-kanaaltransistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
1.50€
5-24
1.24€
25-49
1.14€
50+
1.06€
Hoeveelheid in voorraad: 25

N-kanaaltransistor 2SK2615, 1.5A, 2A, 100uA, 0.33 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( 2-5K1B ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( 2-5K1B ). Spanning Vds(max): 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 150pF. Functie: Veldeffecttransistor. G-S-bescherming: onderdrukker. Id(imp): 6A. Kanaaltype: N. Kosten): 70pF. Markering op de kast: ZA. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. RoHS: ja. Td(aan): 30 ns. Td(uit): 150 ns. Technologie: MOS-type (L2.TT.MOSV). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 0.8V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 18/12/2025, 19:42

Technische documentatie (PDF)
2SK2615
29 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
1.5A
ID (T=25°C)
2A
Idss (max)
100uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.33 Ohms
Behuizing
SOT-89 4-Pin ( 3+Tab )
Behuizing (volgens datablad)
SOT-89 ( 2-5K1B )
Spanning Vds(max)
60V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
150pF
Functie
Veldeffecttransistor
G-S-bescherming
onderdrukker
Id(imp)
6A
Kanaaltype
N
Kosten)
70pF
Markering op de kast
ZA
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
Pd (vermogensdissipatie, max.)
1.5W
Poort-/bronspanning Vgs
20V
RoHS
ja
Td(aan)
30 ns
Td(uit)
150 ns
Technologie
MOS-type (L2.TT.MOSV)
Temperatuur
+150°C
Trr-diode (min.)
100 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) min.
0.8V
Origineel product van fabrikant
Toshiba