N-kanaaltransistor 2SK2605, 5A, 100uA, 1.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1800pF. Functie: High Speed, H.V. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 15A. Kanaaltype: N. Kosten): 105pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Td(aan): 80 ns. Td(uit): 140 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Temperatuur: +150°C. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Origineel product van fabrikant: Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31