N-kanaaltransistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

N-kanaaltransistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
2.80€
5-9
2.43€
10-24
2.05€
25+
1.83€
Hoeveelheid in voorraad: 27

N-kanaaltransistor 2SK1461, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3BP. Spanning Vds(max): 900V. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Bescherming afvoerbron: ja. C(inch): 700pF. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: nee. ID s (min): -. Id(imp): 10A. Kanaaltype: N. Kosten): 300pF. Markering op de kast: K1461. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3V. Td(aan): 15 ns. Td(uit): 200 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Sanyo. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK1461
27 parameters
Binnendiameter (T=100°C)
2A
ID (T=25°C)
5A
Idss (max)
1mA
Aan-weerstand Rds Aan
2.8 Ohms
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3BP
Spanning Vds(max)
900V
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-...+150°C
Bescherming afvoerbron
ja
C(inch)
700pF
Functie
N MOSFET-transistor
G-S-bescherming
nee
Id(imp)
10A
Kanaaltype
N
Kosten)
300pF
Markering op de kast
K1461
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
120W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Poort-/emitterspanning VGE(th) min.
2V
Poort-/emitterspanning VGE(th)max.
3V
Td(aan)
15 ns
Td(uit)
200 ns
Technologie
V-MOS, S-L
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Sanyo