N-kanaaltransistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V

N-kanaaltransistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
27.80€
5-9
25.73€
10-24
23.80€
25+
21.86€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

N-kanaaltransistor 2SK1217, 8A, 500uA, 1.5 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Spanning Vds(max): 900V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 1400pF. Functie: Low Driving Power High Speed Switching. G-S-bescherming: nee. ID s (min): 10uA. Id(imp): 23A. Kanaaltype: N. Kosten): 200pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. RoHS: ja. Td(aan): 50 ns. Td(uit): 300 ns. Technologie: V-MOS. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Origineel product van fabrikant: Fuji Electric. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK1217
29 parameters
ID (T=25°C)
8A
Idss (max)
500uA
Aan-weerstand Rds Aan
1.5 Ohms
Behuizing
TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)
Behuizing (volgens datablad)
TO-3PF
Spanning Vds(max)
900V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
1400pF
Functie
Low Driving Power High Speed Switching
G-S-bescherming
nee
ID s (min)
10uA
Id(imp)
23A
Kanaaltype
N
Kosten)
200pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
100W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
RoHS
ja
Td(aan)
50 ns
Td(uit)
300 ns
Technologie
V-MOS
Trr-diode (min.)
1000 ns
Type transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
2.5V
Origineel product van fabrikant
Fuji Electric