N-kanaaltransistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

N-kanaaltransistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
11.68€
5-9
10.81€
10-24
9.77€
25+
9.47€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer
Equivalentie beschikbaar

N-kanaaltransistor 2SK1170, 20A, 250uA, 0.27 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.27 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Bescherming afvoerbron: diode. C(inch): 2800pF. Functie: N MOSFET-transistor. G-S-bescherming: ja. Id(imp): 80A. Kanaaltype: N. Kosten): 780pF. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Spec info: High speed switching Low drive current. Td(aan): 32 ns. Td(uit): 200 ns. Technologie: V-MOS. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Origineel product van fabrikant: Hitachi. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 09:31

Technische documentatie (PDF)
2SK1170
26 parameters
ID (T=25°C)
20A
Idss (max)
250uA
Aan-weerstand Rds Aan
0.27 Ohms
Behuizing
TO-3P ( TO-218 SOT-93 )
Behuizing (volgens datablad)
TO-3P
Spanning Vds(max)
500V
Aantal aansluitingen
3
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Bescherming afvoerbron
diode
C(inch)
2800pF
Functie
N MOSFET-transistor
G-S-bescherming
ja
Id(imp)
80A
Kanaaltype
N
Kosten)
780pF
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
Pd (vermogensdissipatie, max.)
120W
Poort-/bronspanning Vgs
30 v
Spec info
High speed switching Low drive current
Td(aan)
32 ns
Td(uit)
200 ns
Technologie
V-MOS
Trr-diode (min.)
500 ns
Type transistor
MOSFET
Origineel product van fabrikant
Hitachi

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor 2SK1170