IPB80N06S2-09

IPB80N06S2-09. C(inch): 2360pF. Kosten): 610pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 2N0609. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.6m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 39 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Ultra lage weerstand. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 10:25.