DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-3
40.27€
4-7
38.35€
8-11
36.87€
12-19
35.38€
20+
32.85€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 13

DSEI2X101-06A, 2x96A, 1200A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 600V. Voorwaartse stroom (AV): 2x96A. IFSM: 1200A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 600V. Aantal aansluitingen: 4. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.25V. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. MRI (max.): 20mA. MRI (min): 1mA. Montage/installatie: schroef. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Spec info: 1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: Epitaxiale diode. Trr-diode (min.): 35 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.17V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 19/12/2025, 06:11

Technische documentatie (PDF)
DSEI2X101-06A
24 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
2x96A
IFSM
1200A
Behuizing
ISOTOP ( SOT227B )
Behuizing (volgens datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
600V
Aantal aansluitingen
4
Aantal per doos
2
Bedrijfstemperatuur
-40...+150°C
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
10
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.25V
Functie
dubbele snelle hersteldiode
Halfgeleidermateriaal
silicium
MRI (max.)
20mA
MRI (min)
1mA
Montage/installatie
schroef
Pd (vermogensdissipatie, max.)
250W
RoHS
ja
Spec info
1200Ap t=10ms, TVJ=45°C, 1080Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
Epitaxiale diode
Trr-diode (min.)
35 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1.17V
Origineel product van fabrikant
IXYS

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor DSEI2X101-06A