DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-1
70.07€
2-3
67.08€
4-7
64.52€
8-15
62.54€
16+
58.95€
Verouderd product, wordt binnenkort uit de catalogus verwijderd
Geen voorraad meer

DSEI2X101-12A, 2x91A, 900A, ISOTOP ( SOT227B ), ISOTOP ( SOT227B ), 1200V. Voorwaartse stroom (AV): 2x91A. IFSM: 900A. Behuizing: ISOTOP ( SOT227B ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT227B ). VRRM: 1200V. Aantal per doos: 2. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 10. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.87V. Functie: dubbele snelle hersteldiode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: 900App/10ms, 45°C. Levertijd: KB. MRI (max.): 15mA. MRI (min): 1.5mA. Montage/installatie: schroef. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. Spec info: 810Ap t=10ms, TVJ=150°C. Technologie: Epitaxiale diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.61V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:07

Technische documentatie (PDF)
DSEI2X101-12A
24 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
2x91A
IFSM
900A
Behuizing
ISOTOP ( SOT227B )
Behuizing (volgens datablad)
ISOTOP ( SOT227B )
VRRM
1200V
Aantal per doos
2
Bedrijfstemperatuur
-40...+150°C
Conditionering
plastic buis
Conditioneringseenheid
10
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.87V
Functie
dubbele snelle hersteldiode
Halfgeleidermateriaal
silicium
Let op
900App/10ms, 45°C
Levertijd
KB
MRI (max.)
15mA
MRI (min)
1.5mA
Montage/installatie
schroef
Pd (vermogensdissipatie, max.)
250W
Spec info
810Ap t=10ms, TVJ=150°C
Technologie
Epitaxiale diode
Trr-diode (min.)
40 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1.61V
Origineel product van fabrikant
IXYS