Zener-diodes

Voorwaartse stroom (AV): 10.5mA. Let op: M4 -thread. Tolerantie: 5%. VRRM: 36V

Voorwaartse stroom (AV): 40mA. Spec info: M4 -thread. Tolerantie: 5%. VRRM: 27V

Voorwaartse stroom (AV): 22mA. Let op: M4 -thread. Tolerantie: 5%. VRRM: 47V

Voorwaartse stroom (AV): 20mA. Let op: M4 -thread. Tolerantie: 5%. VRRM: 51V

Voorwaartse stroom (AV): 130mA. Let op: M4 -thread. Tolerantie: 5%. VRRM: 8.2V

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 5V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 2 Ohms @ 50mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 100V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 100V

Behuizing: DO-41. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 110V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 50V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 80 Ohms @ 5mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Behuizing: DO-41. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 12V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 4 Ohms @ 50mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 120V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 13V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 7V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 5 Ohms @ 50mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 130V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 130V

Behuizing: DO-41. Zener-spanning: 15V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). RoHS: ja. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 150V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: Z150. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. VRRM: 150V

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 160V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 18V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Zener-spanning: 180V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-15. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 10V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 6 Ohms @ 25mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 200V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: Z200. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 22V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 24V. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: DO-41. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 27V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 14V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 7 Ohms @ 25mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( 2.6x5.1mm ). Zener-spanning: 30 v. Aantal per doos: 1. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 2. RoHS: ja. Spec info: 60W t<10ms TA=25°C peak power dissipation. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon-Power-Z-Diode (non-planar technology). Tolerantie: 5%. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C

Behuizing: DO-41. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing (JEDEC-standaard): DO-204AC. Zener-doorslagspanning Uz [V], nom.: 33V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. RoHS: ja. Componentfamilie: Zenerdiode, vermogen 2W (25°C), 5%, ZY-serie. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 2. Lekstroom bij sluiten Ir [A] @ Ur [V]: 1uA @ 17V. Zener-impedantie Zzt[Ohm] @ Iz[A]: 8 Ohms @ 25mA. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Zener-spanning: 36V. Behuizing: DO-15. Soort diode: Zenerdiode. Vermogen: 2W