US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
10-49
0.0913€
50-99
0.0792€
100-499
0.0711€
500+
0.0605€
+889 extra stuks beschikbaar op externe voorraad (levering binnen 4 uur). Neem contact met ons op voor prijzen en beschikbaarheid!
Hoeveelheid in voorraad: 4661
Minimum: 10

US1M, 1A, 30A, SMA (4.6x2.8 mm), 1000V. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 30A. Behuizing (volgens datablad): SMA (4.6x2.8 mm). VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 5000. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.7V. Equivalenten: US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP. Functie: Ultrafast silicon rectifier diode. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). RoHS: ja. Spec info: IFSM--30Ap. Trr-diode (min.): 75 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.7V. Origineel product van fabrikant: Smc. Minimale hoeveelheid: 10. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/11/2025, 20:52

Technische documentatie (PDF)
US1M
21 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
1A
IFSM
30A
Behuizing (volgens datablad)
SMA (4.6x2.8 mm)
VRRM
1000V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-55...+150°C
Conditionering
rol
Conditioneringseenheid
5000
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.7V
Equivalenten
US1M-13-F, US1M-E3/5AT, US1M-E3/61T, US1M-TP
Functie
Ultrafast silicon rectifier diode
Halfgeleidermateriaal
silicium
Montage/installatie
opbouwcomponent (SMD)
RoHS
ja
Spec info
IFSM--30Ap
Trr-diode (min.)
75 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1.7V
Origineel product van fabrikant
Smc
Minimale hoeveelheid
10