SI4435DDY-T1-GE3

SI4435DDY-T1-GE3

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
5-9
1.15€
10-49
1.11€
50-199
0.99€
200-999
0.92€
1000+
0.84€
Hoeveelheid in voorraad: 191
Minimum: 5

SI4435DDY-T1-GE3. Behuizing: SO8. Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom): 11.4A. Informatie: -. Kenmerken: -. MSL: -. Montagetype: SMD. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Polariteit: MOSFET P. Poort-/bronspanning Vgs max: -20V. Serie: TrenchFET. Vdss (afvoer naar bronspanning): -30V. Origineel product van fabrikant: Vishay Siliconix. Minimale hoeveelheid: 5. Aantal op voorraad bijgewerkt op 01/11/2025, 18:37

Technische documentatie (PDF)
SI4435DDY-T1-GE3
10 parameters
Behuizing
SO8
Id @ Tc=25°C (continue afvoerstroom)
11.4A
Montagetype
SMD
Pd (vermogensdissipatie, max.)
5W
Polariteit
MOSFET P
Poort-/bronspanning Vgs max
-20V
Serie
TrenchFET
Vdss (afvoer naar bronspanning)
-30V
Origineel product van fabrikant
Vishay Siliconix
Minimale hoeveelheid
5