MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V

Hoeveelheid
Eenheidsprijs
1-4
0.55€
5-24
0.45€
25-49
0.39€
50-99
0.35€
100+
0.31€
Equivalentie beschikbaar
Hoeveelheid in voorraad: 123

MUR1100E, 1A, 35A, DO-41, DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ), 1000V. Voorwaartse stroom (AV): 1A. IFSM: 35A. Behuizing: DO-41. Behuizing (volgens datablad): DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm ). VRRM: 1000V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Conditionering: -. Conditioneringseenheid: 1000. Diëlektrische structuur: Anode-kathode. Drempelspanning Vf (max): 1.75V. Equivalenten: MUR1100ERLG. Functie: Ultrafast “E” Series with High Reverse. Halfgeleidermateriaal: silicium. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. RoHS: ja. Spec info: IFSM. Trr-diode (min.): 75 ns. Voorwaartse spanning Vf (min): 1.5V. Origineel product van fabrikant: ON Semiconductor. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:24

Technische documentatie (PDF)
MUR1100E
20 parameters
Voorwaartse stroom (AV)
1A
IFSM
35A
Behuizing
DO-41
Behuizing (volgens datablad)
DO-41 ( DO-204AL ) ( CASE59-10 ) ( 7.3x3.4mm )
VRRM
1000V
Aantal aansluitingen
2
Aantal per doos
1
Bedrijfstemperatuur
-65...+175°C
Conditioneringseenheid
1000
Diëlektrische structuur
Anode-kathode
Drempelspanning Vf (max)
1.75V
Equivalenten
MUR1100ERLG
Functie
Ultrafast “E” Series with High Reverse
Halfgeleidermateriaal
silicium
Montage/installatie
PCB-doorvoermontage
RoHS
ja
Spec info
IFSM
Trr-diode (min.)
75 ns
Voorwaartse spanning Vf (min)
1.5V
Origineel product van fabrikant
ON Semiconductor

Gelijkwaardige producten en/of accessoires voor MUR1100E