IPB80N03S4L-02

IPB80N03S4L-02. C(inch): 7500pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Automotive AEC Q101 gekwalificeerd. Id(imp): 320A. Binnendiameter (T=100°C): 80A. ID (T=25°C): 80A. Idss (max): 1uA. ID s (min): 0.01uA. Markering op de kast: 4N03L02. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 136W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 62 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: vermogens-MOSFET-transistor. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Vgs(th) max.: 2.2V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: Ultra lage weerstand. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 20:25.