IPA80R1K0CEXKSA2

IPA80R1K0CEXKSA2. C(inch): 785pF. Kosten): 33pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 520 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 18A. Id(imp): 18A. Binnendiameter (T=100°C): 3.6A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss (max): 50uA. ID s (min): 10uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 8R1K0CE. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.83 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 72 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: -20V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 20:25.