IPA60R600E6

IPA60R600E6. C(inch): 440pF. Kosten): 30pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 250 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: ID pulse 19A. Id(imp): 19A. Binnendiameter (T=100°C): 4.6A. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 1uA. Let op: volledig geïsoleerde behuizing (2500VAC/60s). Markering op de kast: 6R600E6. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Cool Mos E6 POWER trafnsistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FP-3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 17/01/2025, 20:25.