IGBT-transistor IXXK200N65B4. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Behuizing (volgens datablad): TO-264. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). C(inch): 760pF. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Collectorstroom: 480A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Functie: Extreme Light Punch Through, IGBT for 10-30kHz Switching. Germaniumdiode: nee. Ic(T=100°C): 200A. Ic(puls): 1200A. Kanaaltype: N. Kosten): 220pF. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.7V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1630W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6.5V. Poort-/emitterspanning VGE: VGES 20V, VGEM 30V. RoHS: ja. Spec info: ICM TC=25°C, 1ms, 1200A. Td(aan): 45 ns. Td(uit): 226 ns. Technologie: XPT™ 900V IGBT, GenX4™. Trr-diode (min.): -. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Origineel product van fabrikant: IXYS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 06:57