IGBT-transistor IRGB14C40LPBF. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Behuizing: TO-220. C(inch): 825pF. CE-diode: nee. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Collectorstroom: 20A. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Germaniumdiode: ja. Ic(T=100°C): 14A. Kanaaltype: N. Kosten): 150pF. Let op: geïntegreerde weerstanden R1 G (75 Ohm), R2 GE (20k Ohm). Markering op de kast: GB14C40L. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 1.3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2.2V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. RoHS: ja. Spec info: IGBT with on-chip Gate-Emitter and Gate-Collector. Td(aan): 1.35 ns. Td(uit): 8.3 ns. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Origineel product van fabrikant: International Rectifier. Aantal op voorraad bijgewerkt op 31/10/2025, 08:13